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molibdeno di 20mm che farfuglia gli obiettivi per i prodotti del molibdeno del disco del molibdeno dell'obiettivo del molibdeno di industria a semiconduttore
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xDettagli
| nome | Molibdeno che farfuglia gli obiettivi per l'industria a semiconduttore | Materiale | Molibdeno e lega di molibdeno |
|---|---|---|---|
| Purezza | 99,95% | Densità | 10,2 g/cm3 |
| Spessore | <20mm> | Diametro | <300mm> |
| Superficie | Lucidato | Norma | ASTM B386 |
| Evidenziare | molibdeno di 20mm che farfuglia gli obiettivi,Molibdeno lucidato che farfuglia gli obiettivi,farfugliare del molibdeno 99 |
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Descrizione di prodotto
Molibdeno che farfuglia gli obiettivi per l'industria a semiconduttore
1. Descrizione di molibdeno che farfuglia gli obiettivi per l'industria a semiconduttore:
Il molibdeno è un metallo refrattario versatile con le qualità meccaniche eccezionali, un coefficiente di espansione basso, la forte conducibilità termica e la conduttività elettrica particolarmente alta alle temperature elevate. Ci sono numerose combinazioni che possono essere usate come farfugliare gli obiettivi, compreso gli obiettivi puri del molibdeno, gli obiettivi di titanio del molibdeno, gli obiettivi del tantalio del molibdeno e gli obiettivi della lega del molibdeno (quale il piatto di TZM).
I materiali hanno usato per i semiconduttori comprendono gli obiettivi puri del metallo quali tungsteno, molibdeno, niobio, il titanio ed il silicio, ulteriormente alle sostanze come gli ossidi o i nitruri. Cruciale quanto i parametri di esercizio di deposito che gli ingegneri e gli scienziati perfetti in tutto il processo di rivestimento sono la procedura di selezione materiale.
2. Dimensione di molibdeno che farfuglia gli obiettivi per l'industria a semiconduttore:
Spessore: <20mm>
Diametro: <300mm>
Superficie: Lucidato
Norma: ASTM B386
L'altra dimensione può essere elaborata secondo il disegno del cliente.
3. Contenuto chimico di molibdeno che farfuglia gli obiettivi per l'industria a semiconduttore:
| Analisi quantitativa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Elemento | Ni | Mg | Fe | Pb | Al | Bi | Si | CD | Ca | P | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Concentrazione (%) | 0,003 | 0,002 | 0,005 | 0,0001 | 0,002 | 0,0001 | 0,002 | 0,0001 | 0,002 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Elemento | C | O | N | Sb | Sn | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Concentrazione (%) | 0,01 | 0,003 | 0,003 | 0,0005 | 0,0001 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Purezza (base metallica) Mo ≥99.95% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
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4. Proprietà fisiche e meccaniche di molibdeno che farfugliano gli obiettivi per l'industria a semiconduttore:
| Proprietà | Molibdeno puro | Molibdeno verniciato | Lega ad alta temperatura del molibdeno | ||
| Coefficiente atomico | 42 | ||||
| Peso atomico (m) | 95,95 | ||||
| Costante della grata (a) | cubo concentrato corpo | 3,14' 10-10 | |||
| Densità (r) | 10.2g/cm3 | ||||
| Punto di fusione (t) | 2620±10℃ | ||||
| Punto di ebollizione (t) | 4800℃ | ||||
| Coefficiente di dilatazione lineare (a1) | 20℃ | 5,3' 10-6/K | 5,3' 10-6/K | 5,3' 10-6/K | |
| 20-1000℃ | 5,8' 10-6/K | 5,8' 10-6/K | 5,8' 10-6/K | ||
| 20-1500℃ | 6,5' 10-6/K | 6,5' 10-6/K | 6,5' 10-6/K | ||
| Calore specifico (u) | 20℃ | 0.25J/g·K | 0.25J/g·K | 0.25J/g·K | |
| 1000℃ | 0.31J/g·K | 0.31J/g·K | 0.31J/g·K | ||
| 2000℃ | 0.44J/g·K | 0.44J/g·K | 0.44J/g·K | ||
| Conducibilità termica (l) | 20℃ | 142 W/m·K | 142 W/m·K | 126 W/m·K | |
| 1000℃ | 105 W/m·K | 105 W/m·K | 98 W/m·K | ||
| 1500℃ | 88 W/m·K | 88 W/m·K | 86 W/m·K | ||
| Resistività (r) | 20℃ | 0.052mWm | 0.065mWm | 0.055mWm | |
| 1000℃ | 0.27mWm | 0.28mWm | 0.31mWm | ||
| 1500℃ | 0.43mWm | 0.43mWm | 0.45mWm | ||
| 2000℃ | 0.60mWm | 0.63mWm | 0.66mWm | ||
| Energia radiante | 730℃ | 5500.0W/m2 | |||
| 1330℃ | 6300.0W/m2 | ||||
| 1730℃ | 19200.0W/m2 | ||||
| 2330℃ | 700000.0W/m2 | ||||
| Area efficace del neutrone termico | 2,7' 10-28m2 | 2,7' 10-28m2 | 2,7' 10-28m2 | ||
| Resistenza alla trazione (Sb) | piatto di 0.10-8.00mm | 590~785MPa | 450~520MPa | 690~1130MPa | |
| cavo f0.80 | 1020MPa | 1570MPa | |||
| Carico di snervamento (S0.2) | piatto di 0.10-8.00mm | 540~620MPa | 290~360MPa | 620~1000MPa | |
| Allungamento (%) | piatto di 0.10-8.00mm | 3~17 | 15~75 | 2~8 | |
| cavo f0.80 | 1,5 | 2 | |||
| Modulo elastico (E) | 20℃ | 320GPa | 320GPa | 320GPa | |
| 1000℃ | 270GPa | 270GPa | 270GPa | ||
| Durezza (HV10) | Piatto di deformazione di <70% | 200~280 | 240~340 | ||
| Piatto di deformazione di >70% | 260~360 | 300~450 | |||
| Piatto ricristallizzato | 140~160 | 170~190 | <200 | ||
| temperatura di transizione Plastica-fragile (T) | -40~40℃ | ||||
| Temperatura iniziale di ricristallizzazione (T) | il piatto 1h di >90%Deformation ha temprato | 900℃ | 1400℃ | 1250℃ | |
| temperatura finale di ricristallizzazione (T) | Temprato da 1 | 1200℃ | 1700℃ | 1600℃ | |
5. caratteristiche di molibdeno che farfugliano gli obiettivi per l'industria a semiconduttore:
Il rivestimento farfugliato aderisce alle migliori tecniche convenzionali del deposito del substrato ed i materiali con le temperature molto ad elevato punto di fusione, come molibdeno e tungsteno, sono molto semplici farfugliare. Ulteriormente, mentre l'evaporazione può essere fatta soltanto dal fondo per completare, farfugliare può essere fatto entrambi i modi.
Farfugliando gli obiettivi sono arrotondati frequentemente o rettangolari, sebbene ci siano inoltre opzioni quadrate e triangolari disponibili. Il substrato è l'oggetto che deve essere ricoperto e potrebbe essere qualche cosa dalle pile solari alle componenti ottiche ai wafer a semiconduttore. Il rivestimento varia tipicamente di spessore dagli angstrom ai micron. La membrana può consistere di singolo materiale o di parecchi materiali impilati negli strati.
Le proprietà ad alta densità, fini e coerenti di elevata purezza, del grano sono presenti in molibdeno che farfuglia gli obiettivi, con conseguente efficienza estremamente alta farfugliare, spessore di film omogeneo e superficie d'incisione pulita in tutto il processo farfugliare.
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