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Il molibdeno su ordinazione TZM riveste per il metallo del molibdeno della lega del molibdeno dello strato TZM di Moly del disco del molibdeno a semiconduttore
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xDettagli
| nome | Strato del molibdeno per il semiconduttore | Materiale | Molibdeno e lega di molibdeno |
|---|---|---|---|
| Grado | Mo1, TZM, lega di Mola | Densità | 10,2 g/cm3 |
| Forma | strato rotondo | Applicazione | Semiconduttori |
| Evidenziare | Strati del molibdeno TZM,Il semiconduttore TZM riveste,strato su ordinazione del molibdeno |
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Descrizione di prodotto
Strato del molibdeno per il semiconduttore
1. Descrizione dello strato del molibdeno per il semiconduttore:
Le caratteristiche ad alta densità, fini ed uniformi di elevata purezza, del grano sono presenti in molibdeno che farfuglia gli obiettivi, con conseguente efficienza estremamente alta farfugliare, spessore di film uniforme e superficie d'incisione regolare durante il processo farfugliare.
Lo strato del molibdeno per i semiconduttori ha le proprietà meccaniche eccellenti, l'espansione bassa, l'alta conducibilità termica e conduttività elettrica estremamente alta alle temperature elevate. È un metallo refrattario con vari usi.
Ci sono molte combinazioni differenti di molibdeno che possono essere usate come obiettivo farfugliare, compreso molibdeno, il titanio del molibdeno, il tantalio del molibdeno e gli obiettivi puri della lega del molibdeno. Le proprietà ad alta densità, fini e coerenti di elevata purezza, del grano sono presenti in molibdeno che farfuglia gli obiettivi, con conseguente efficienza estremamente alta farfugliare, spessore di film omogeneo e superficie d'incisione pulita in tutto il processo farfugliare. Strato del molibdeno fatto alle specifiche di un cliente per i semiconduttori.
2. parametro dello strato del molibdeno per il semiconduttore:
| Nome | Strato del molibdeno per il semiconduttore |
| Peso molecolare | 95,94 |
| Aspetto | Argenteo |
| Punto di fusione | °C 2623 |
| Punto di ebollizione | °C 4639 |
| Densità | 10280 kg/m3 |
| Solubilità in H2O | N/A |
| Resistività elettrica | 5,2 microhm-cm @ 0 °C |
| Elettronegatività | 1,9 Paulings |
| Calore di fusione | 6,6 talpa di Cal/gm |
| Calore di vaporizzazione | Un atomo di 128 K-Cal/gm a °C 4612 |
| Il rapporto di Poisson | 0,31 |
| Calore specifico | 0,0599 °C 25 di Cal/g/K @ |
| Resistenza alla trazione | N/A |
| Conducibilità termica | 1,38 W/cm/K @ 298,2 K |
| Espansione termica | (25 µm del °C) 4,8·m-1·K-1 |
| Durezza Vickers | MPa 1530 |
| Modulo di Young | 329 GPa |
3. I prodotti mostrano dello strato del molibdeno per il semiconduttore:
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