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substrati del rame del molibdeno di spessore di 3mm per dissipazione di calore e collegamenti elettrici in IGBT

Luogo di origine La Cina
Marca PRM
Certificazione ISO9001
Numero di modello Abitudine
Quantità di ordine minimo 1pc
Prezzo $5~150/pc
Imballaggi particolari cassa del compensato
Tempi di consegna 7~10 giorni del lavoro
Termini di pagamento T/T
Capacità di alimentazione 50000pcs/month

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Dettagli
nome Substrato di rame del molibdeno Materiale Lega di rame del molibdeno
Dimensione Secondo il disegno del cliente Gamma di spessore 0.1~3mm
Placcatura Ni Tipo MoCu/CMC/CPC/CMCC
Conducibilità termica 140-180 con (m. ·K)
Evidenziare

Lega di rame del molibdeno di IGBTs

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Alta lega di rame del molibdeno di conducibilità termica

,

lega di rame del molibdeno di 3mm

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Descrizione di prodotto

Substrati del rame del molibdeno per dissipazione di calore

 

1. Informazioni dei substrati del rame del molibdeno per dissipazione di calore:

 

il substrato del Molibdeno-rame è un nuovo tipo di materiale elettronico. Usa il molibdeno come la base ed il rame come lo strato conduttivo. È un materiale con la conducibilità termica eccellente, l'alta connettività elettrica e la lavorabilità. È preparato solitamente tramite il processo ad alta temperatura di pressatura a caldo. Il fondo del substrato del molibdeno-rame è materiale del molibdeno e la superficie è coperta di strato del materiale del rame della alto-conducibilità. È usata solitamente come dissipazione di calore e connettori elettrici per i dispositivi di potere IGBT.

 

2. Le specifiche del substrato del rame del molibdeno possono essere personalizzate secondo i bisogni reali.

 

Le specifiche comuni sono come segue:

 

Spessore: 0.1-3.0mm
Dimensione: 30mm x 30mm, 25mm x 15mm, 50mm x 50mm, ecc.

 

substrati del rame del molibdeno di spessore di 3mm per dissipazione di calore e collegamenti elettrici in IGBT 0substrati del rame del molibdeno di spessore di 3mm per dissipazione di calore e collegamenti elettrici in IGBT 1

 

3. parametri di prestazione dei substrati del rame del molibdeno per dissipazione di calore:

 

Conducibilità termica: l'alta conducibilità termica, la conducibilità termica è 140-180 con (m. ·K).


Connettività elettrica: Buona connettività elettrica che può resistere alle densità a corrente forte ed alle alte portate dell'elettrone.


Fabbricabilità: Facile elaborare e brasare, permettendo alle forme complesse ed alla fabbricazione di alta precisione.

 

4. Vantaggio dei substrati del rame del molibdeno per dissipazione di calore:

 

Dissipazione di calore eccellente: Il substrato del rame del molibdeno ha conducibilità termica eccellente, che può trasferire rapidamente il calore al radiatore, quindi riducente la temperatura di funzionamento dei dispositivi di potere e migliorante l'affidabilità e la stabilità.


Alta connettività elettrica: Lo strato di rame può fornire la buona connettività elettrica e può resistere alla densità a corrente forte ed alta alla portata dell'elettrone, quindi miglioranti l'efficienza di funzionamento dei dispositivi di potere.


Buona fabbricabilità: Il substrato del molibdeno-rame è facile da elaborare e brasare e può realizzare le forme complesse e la fabbricazione di alta precisione, che possono soddisfare le esigenze di vari dispositivi di potere.

 

substrati del rame del molibdeno di spessore di 3mm per dissipazione di calore e collegamenti elettrici in IGBT 2substrati del rame del molibdeno di spessore di 3mm per dissipazione di calore e collegamenti elettrici in IGBT 3

 

5. Uso dei substrati del rame del molibdeno per dissipazione di calore:

 

Il substrato di rame del molibdeno pricipalmente è utilizzato nella dissipazione di calore e nel collegamento elettrico del dispositivo di potere IGBT. Può essere utilizzato nell'attrezzatura elettronica di vario potere, quali i convertitori di frequenza, i convertitori di AC-DC, gli invertitori, ecc. allo stesso tempo, è inoltre ampiamente usato in campi militari ed altro di spazio aereo, della comunicazione elettronica.

 


 

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substrati del rame del molibdeno di spessore di 3mm per dissipazione di calore e collegamenti elettrici in IGBT 4

 

substrati del rame del molibdeno di spessore di 3mm per dissipazione di calore e collegamenti elettrici in IGBT 5